本文標(biāo)題："熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術(shù)簡(jiǎn)介"
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熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術(shù)簡(jiǎn)介
現(xiàn)代的切克勞斯基拉單晶工藝是在1917年切克勞斯基發(fā)明的金
屬單晶生長(zhǎng)技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展而成的。它的基本程序是，將頂端夾有
單晶硅籽晶的夾持桿伸人到含有熔融態(tài)硅的石墨坩堝中，籽晶部分
浸入熔融硅。然后一面旋轉(zhuǎn)，一面慢慢地拉出籽晶，一般拉取速度
約為每分鐘幾毫米。整個(gè)過程必須在氬氣氛保護(hù)下進(jìn)行。圖13—3
示出了切克勞斯基拉晶爐的結(jié)構(gòu)示意圖。該爐可以用射頻(RF)功率
加熱，也可以用一般的電源加熱。在加熱熔化多晶硅過程中，可以
添加一定量的摻雜雜質(zhì)，使生長(zhǎng)的單晶具有設(shè)計(jì)好的n型或P型性質(zhì)
。摻雜的數(shù)量，在單晶棒的徑向截面上是恒定的，但在沿棒的軸向
方向上是有所不同的，好在這種數(shù)量的變化是可預(yù)知的，所以它不
會(huì)對(duì)微電子器件的生產(chǎn)造成嚴(yán)重問題。
切克勞斯基工藝生長(zhǎng)的晶體硅純度不是很高，有些時(shí)候，例如
生產(chǎn)功率器件時(shí)，因?yàn)樾枰牧暇哂泻芨叩妮d流子遷移率，所以要
求硅有更高的純度，這時(shí)切克勞斯基法已不大適用。可以采用的方
法之一是懸浮區(qū)熔技術(shù)，它的生產(chǎn)成本較高
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